主營(yíng)產(chǎn)品：
DYNEX BUSSMANN BUSSMANN熔斷器 FERRAZ熔斷器 IXYS可控硅 ABB可控硅 INFINEON模塊
西門(mén)康IGBT IGBT模塊
聯(lián)系我們
聯(lián)系人：王先生 郭先生 李小姐
服務(wù)專(zhuān)線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站www.fherqpm.cn 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時(shí)5S的服務(wù)
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站www.fherqpm.cn 查看相關(guān)的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時(shí)5S的服務(wù)
-
IGBT模塊的概述 文件巨細(xì)：2.6M上傳時(shí)間：2012-11-09文件花式：pdf上傳用戶(hù)：huigugie下載幾次：57文件提與：WacevP02文件巨細(xì)：2.6M上傳時(shí)間：2012-11-09文件花式：pdf上傳用戶(hù)：hui...發(fā)布時(shí)間：2013-08-29 點(diǎn)擊次數(shù)：947 次
-
西門(mén)康IGBT的簡(jiǎn)述 XiMenKangIGBT產(chǎn)品特點(diǎn):1。采用高質(zhì)量、高強(qiáng)度的航天、航空鋁合金材料,降低產(chǎn)品的重量,提高了產(chǎn)品的穩(wěn)性。2。固體獨(dú)特的支柱結(jié)構(gòu)來(lái)確保穩(wěn)定的升降平臺(tái),偏轉(zhuǎn)角度的微小。3。方便移動(dòng)UE32/UE40配備...發(fā)布時(shí)間：2013-08-28 點(diǎn)擊次數(shù)：1089 次
-
變頻器行業(yè)IGBT模塊的應(yīng)用 一、富士、IGBT模塊廣泛應(yīng)用于逆變器行業(yè),1,第五代U系列22mbi150u4ambi100u4ambi75u4a-120-2-120-12022mbi300u4hmbi200u4hmbi150u4h-120...發(fā)布時(shí)間：2013-08-22 點(diǎn)擊次數(shù)：1003 次
-
西門(mén)康IGBT模塊的產(chǎn)品型號(hào) 西門(mén)康IGBT模塊、西門(mén)康可控硅、西門(mén)康二極管、西門(mén)康整流橋西門(mén)康三相橋 SKKH15/16ESKKT106/16SKM75GB12T4SKM145GB128DNSKIIP24NAB125T12SKIIP31N...發(fā)布時(shí)間：2013-08-21 點(diǎn)擊次數(shù)：992 次
-
IXYS可控硅的產(chǎn)品介紹 北京昊天成科技有限公司專(zhuān)業(yè)代理德國(guó)艾賽斯（IXYS）系列可控硅三相整流橋IGBT模塊IXYS整流橋IXYS可控硅IXYS晶閘管IXYSIGBT模塊艾賽斯模塊艾賽斯IGBTIXYS二極管，IXYS快恢復(fù)二極管...發(fā)布時(shí)間：2013-08-14 點(diǎn)擊次數(shù)：1043 次
-
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)模塊的選用 IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)模塊EXB841,M57962L所有可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)1200vIGBT模塊在系列400a,與過(guò)流保護(hù)功能j和唱歌。兩個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊短路保護(hù)的輸出波形如圖2。EXB841內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)5v負(fù)偏壓和監(jiān)管;...發(fā)布時(shí)間：2013-08-08 點(diǎn)擊次數(shù)：1394 次
-
IGBT模塊的產(chǎn)品特點(diǎn) IGBT模塊由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合的一個(gè)組件,它的輸入是極其MOSFET,輸出非常PNP晶體管,它將兩個(gè)組件的優(yōu)點(diǎn),既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì),小功率和開(kāi)關(guān)速度快,具有雙相情感元素的優(yōu)勢(shì),低飽和...發(fā)布時(shí)間：2013-08-02 點(diǎn)擊次數(shù)：1067 次
-
IGBT模塊的優(yōu)點(diǎn) IGBT模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種元件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種元件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET元件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型元件飽和...發(fā)布時(shí)間：2013-07-26 點(diǎn)擊次數(shù)：2876 次
-
IGBT模塊使用中的注意事項(xiàng) 由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以...發(fā)布時(shí)間：2013-07-25 點(diǎn)擊次數(shù)：1141 次
-
ABB變頻器ACS800主從控制在工業(yè)上的應(yīng)用 關(guān)鍵字：ABB變頻器轉(zhuǎn)速給定PWM型號(hào)近年來(lái)，隨著我國(guó)自動(dòng)化技術(shù)的迅速發(fā)展，工業(yè)自動(dòng)化取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。變頻器由于性能穩(wěn)定、節(jié)能環(huán)保、性?xún)r(jià)比高，在工業(yè)各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。ABB（www.abb.com）作...發(fā)布時(shí)間：2013-05-30 點(diǎn)擊次數(shù)：1448 次
-
變頻器對(duì)電機(jī)影響的解決方法 關(guān)鍵詞：異步電動(dòng)機(jī)變頻器一、普通異步電動(dòng)機(jī)都是按恒頻恒壓設(shè)計(jì)的，不可能完全適應(yīng)變頻調(diào)速的要求。以下為變頻器對(duì)電機(jī)的影響1、電動(dòng)機(jī)的效率和溫升的問(wèn)題 不論那種形式的變頻器，在運(yùn)行中均產(chǎn)生不同程度的諧波電壓和電...發(fā)布時(shí)間：2013-05-30 點(diǎn)擊次數(shù)：1081 次
-
大功率開(kāi)關(guān)電源降低功耗的技術(shù)方法 關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 開(kāi)關(guān)頻率 脈寬調(diào)制隨著能源效率和環(huán)保的日益重要，人們對(duì)開(kāi)關(guān)電源待機(jī)效率期望越來(lái)越高，客戶(hù)要求電源制造商提供的電源產(chǎn)品能滿足BLUEANGEL，ENERGYSTAR，ENERGY2000等綠色能...發(fā)布時(shí)間：2013-05-30 點(diǎn)擊次數(shù)：1175 次
-
IGBT在石油感應(yīng)加熱電源中的應(yīng)用 關(guān)鍵字：IGBT 感應(yīng)加熱PWM摘要：為了開(kāi)采含膠質(zhì)瀝青、含蠟和凝固點(diǎn)高的“三高”稠油，油田通常采用蒸氣吞吐、化學(xué)降粘和熱水射流伴進(jìn)等方法進(jìn)行開(kāi)采，這些方法存在投資高、不便管理等缺點(diǎn)。1...發(fā)布時(shí)間：2013-05-30 點(diǎn)擊次數(shù)：1161 次
-
IGBT的幾種失效模式 關(guān)鍵字：IGBT失效 IGBT模塊 IGCT MOS摘要：本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電...發(fā)布時(shí)間：2013-05-30 點(diǎn)擊次數(shù)：3260 次
-
智能型低壓無(wú)功補(bǔ)償技術(shù)方案 關(guān)鍵字：低壓無(wú)功補(bǔ)償雙向晶閘管SVG 在配網(wǎng)中，低壓無(wú)功補(bǔ)償對(duì)提高電能質(zhì)量，降低線路損失具有重要意義。得到了廣泛應(yīng)用。但無(wú)功補(bǔ)償裝置生產(chǎn)廠家眾多，用戶(hù)情況千差萬(wàn)別，不同補(bǔ)償裝置的實(shí)際運(yùn)行效果各不...發(fā)布時(shí)間：2013-05-30 點(diǎn)擊次數(shù)：1147 次
