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IGBT模塊的常識及使用注意事項
日期：2025-04-28 00:28
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摘要：
IGBT管是絕緣柵雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的簡稱，它是80年代初誕生，90年代迅速發展起來的新型復合電力電子元件IGBT管是由MOSFET場效應晶體管和BJT雙極型晶體管復合而成的，其輸入級為MOSFET，輸出級為PNP型大功率三極管，它融和了這兩種元件的優點，既具有MOSFET元件輸入阻抗高 響應速度快 熱穩定性好和驅動電路簡單的優點，又具有雙極型元件通態電源低 耐壓高和輸出電流大的優點，其頻率特性介于MOS-FET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、**率應用中占據了主導地位IGBT管的開通和關斷是由柵極電源來控制IGBT管的。當柵極加正電源時，OSFET內形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT管導通，此時高耐壓的IGBT管也具有低的通態壓降 在柵極上加負電源時，MOSFET內的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT管即關斷 IGBT管與MOSFET一樣也是電源控制型元件，在它的柵極發射極間施加十幾伏的直流電源，只有微安級的漏電流，基本上不消耗功率，顯示了輸入阻抗大的優點。
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