聯系我們
聯系人：王先生 郭先生 李小姐
服務專線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站www.fherqpm.cn 查看相關的產品，
我們為你提供365天24小時5S的服務
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站www.fherqpm.cn 查看相關的產品，
我們為你提供365天24小時5S的服務
文章詳情
IGBT模塊的發展歷史
日期：2025-04-27 01:50
瀏覽次數：807
摘要：
1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT模塊概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類晶閘管的結構（P-N-P-N四層組成），其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。
80年代初期，用于功率MOSFET制造技術的DMOS（雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體）工藝被采用到IGBT模塊中來。在那個時候，硅芯片的結構是一種較厚的NPT（非穿通）型設計。后來，通過采用PT（穿通）型結構的方法得到了在參數折衷方面的一個顯著改進，這是隨著硅片上外延的技術進步，以及采用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩沖層而進展的。幾年當中，這種在采用PT設計的外延片上制備的DMOS平面柵結構，其設計規則從5微米先進到3微米。
90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT模塊，它是采用從大規模集成（LSI）工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型芯片結構。在這種溝槽結構中，實現了在通態電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術力量雄厚的高素質的開發群體，為廣大用戶提供高品質產品、完整的解決方案和上等的技術服務公司。主要產品有 西門康IGBT ABB可控硅 BUSSMANN FERRAZ熔斷器 等。 本企業堅持以誠信立業、以品質守業、以進取興業的宗旨，以更堅定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動化行業作出貢獻，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產品。我們將竭誠為您服務！
