聯系我們
聯系人：王先生 郭先生 李小姐
服務專線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站www.fherqpm.cn 查看相關的產品，
我們為你提供365天24小時5S的服務
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站www.fherqpm.cn 查看相關的產品，
我們為你提供365天24小時5S的服務
文章詳情
IGBT模塊的靜態特性
日期：2025-04-25 23:18
瀏覽次數：714
摘要：
IGBT模塊的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。
IGBT模塊的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區1、放大區2和擊穿特性3部分。在截止狀態下的IGBT，正向電壓由J2結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應用范圍。
IGBT的轉移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時，IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分漏極電流范圍內，Id與Ugs呈線性關系。*高柵源電壓受*大漏極電流限制，其*佳值一般取為15V左右。
IGBT的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT處于導通態時，由于它的PNP晶體管為寬基區晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。
尊敬的客戶：
您好，我司致力為廣大用戶提供高品質產品、完整的解決方案和上等的技術服務。主要產品有INFINEON模塊，FERRAZ熔斷器，DYNEX，BUSSMANN熔斷器等等。您可以通過網頁撥打本公司的服務專線了解更多產品的詳細信息，至善至美的服務是我們不斷的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產品，我們將竭誠為您服務！
